Tecpatepozteuh
Apariencia
(Mokwapki tlen Silicio)
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General | |||||||||||||||||||||||||||||||
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Tōcāitl, machiyōtl, tlapōhualli | Silicio, Si, 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Serie química | Tepozteuh | ||||||||||||||||||||||||||||||
Grupo, periodo, bloque | 14, 3, p | ||||||||||||||||||||||||||||||
Densidad, dureza Mohs | 2330 kg/m³, 6,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Apariencia | Gris oscuro con un tono azul | ||||||||||||||||||||||||||||||
Propiedades atómicas | |||||||||||||||||||||||||||||||
Peso atómico | 28,0855 uma | ||||||||||||||||||||||||||||||
Radio medio† | 110 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Radio atómico calculado | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Radio covalente | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Radio de Van der Waals | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Configuración electrónica | [Ne]3s² 3p² | ||||||||||||||||||||||||||||||
Estado de oxidación (óxido) | 4 (anfótero) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Estructura cristalina | cúbica centrada en las caras | ||||||||||||||||||||||||||||||
Propiedades físicas | |||||||||||||||||||||||||||||||
Estado de la materia | sólido (no magnético) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Punto de fusión | 1687 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
Punto de ebullición | 3173 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
Entalpía de vaporización | 384,22 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
Entalpía de fusión | 50,55 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
Presión de vapor | 4,77 Pa a 1683 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
Velocidad del sonido | __ m/s a __ K | ||||||||||||||||||||||||||||||
Información diversa | |||||||||||||||||||||||||||||||
Electronegatividad | 1,90 (Pauling) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Calor específico | 700 J/(kg*K) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Conductividad eléctrica | 2,52 x 10-4 m-1·Ω-1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Conductividad térmica | 148 W/(m*K) | ||||||||||||||||||||||||||||||
1° potencial de ionización | 786,5 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
2° potencial de ionización | 1577,1 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
3° potencial de ionización | 3231,6 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
4° potencial de ionización | 4355,5 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
5° potencial de ionización | 16091 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
6° potencial de ionización | 19805 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
7° potencial de ionización | 23780 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
8° potencial de ionización | 29287 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
9° potencial de ionización | 33878 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
10° potencial de ionización | 38726 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
Isótopos más estables | |||||||||||||||||||||||||||||||
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Nemachiyōtīlli:Cnpt |
Tecpatli (Caxtillāntlahtōlli: Silicio).